[发明专利]用于内存上全芯片器件设计方法无效

专利信息
申请号: 02106808.9 申请日: 2002-03-05
公开(公告)号: CN1442897A 公开(公告)日: 2003-09-17
发明(设计)人: 许佑铭;林元泰;林诗芸 申请(专利权)人: 力旺电子股份有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L27/00
代理公司: 北京集佳专利商标事务所 代理人: 王学强
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于内存上全芯片器件设计方法,将Hardmacro中的器件拆成晶体管层次的器件,以进行自动化的设计。在超过2个电源线路的情况下,提供多个旁通的线路以作与VSS与VDD,其中VSS与VDD为软件可辨识的两个电源,而将多个电源线路当作信号线路进行绕线,以达到将Hardmacro中所有器件进行自动绕线的目的。之后再将Hardmacro中的线路设计其它部分结合,即完成全芯片的自动化配置与绕线。
搜索关键词: 用于 内存 芯片 器件 设计 方法
【主权项】:
1.一种用于内存上全芯片器件设计方法,其特征在于:至少包括:提供一自动配置与绕线软件;以该自动配置与绕线软件对一逻辑门层次部分、一晶体管层次部分以及一不可合成电路部分进行一自动绕线,其中该自动绕线包括:提供至少一旁通线路以作为VSS、VDD,其中VSS、VDD为该自动配置与绕线软件所能辨识的电源;于该自动配置与绕线软件中,将该些电源线路指定为信号线路进行自动绕线;将该逻辑门层次部分、该晶体管层次部分以及该不可合成电路部分的绕线合并,以达到全芯片绕线自动化的目的。
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