[发明专利]输出电路无效

专利信息
申请号: 02106949.2 申请日: 1995-02-16
公开(公告)号: CN1492587A 公开(公告)日: 2004-04-28
发明(设计)人: 茂原宏;衣笠昌典 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 叶恺东
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供的输出电路能够作全信号变化输出,同时在连接多个输出的应用场合,即使供给大小不同的电源电位也能防止电源之间电流的流通。其输出级由P沟道和N沟道NOS晶体管P1、N1组成,产生用来驱动二个MOS的晶体管栅极的控制信号的产生装置则由“与非”门、“或非”门NOR1和反相器INV1来构成。输出级的P沟道晶体管P1其源极和栅基在电位上是分隔开的,在此MOS晶体管P1的栅基与栅极之间连接以P沟道MOS晶体管P8的源极、漏极。
搜索关键词: 输出 电路
【主权项】:
1.一种输出电路,可以在驱动模式驱动输出端子(Y),并在高阻抗模式将上述输出端子设定在高阻抗状态,其特征在于包括:第一高电位节点,施加以第一高电位;第一和第二基准电位节点,分别施加以第一和第二基准电位;第一MOS晶体管(P1),具有在源极和连接在上述第一高电位节点和上述输出端子(Y)之间的漏极之间的电流通路,栅极和栅基;前置驱动器电路(22,NAND2),具有输出节点,用以产生驱动上述第一MOS晶体管(P1)栅极的电位;第一筏道闸门(P15),连接于上述前置驱动器电路(22,NAND2)的上述输出端点和上述第一MOS晶体管(P1)的上述栅极之间;第二筏道闸门(N3),连接于上述前置驱动器电路(22,NAND2)的上述输出端点和上述第一MOS晶体管(P1)的上述栅极之间;第三筏道闸门(P8),连接于上述第一MOS晶体管(P1)的上述栅基和上述栅极之间;和控制电路(P9,N2,NAND1,INV2),施加以第一和第二基准电位和上述输出端子的电位;用以根据控制信号(/EN),施加为使上述第一筏道闸门(P15)导通所必要的、上述输出端子(Y)的电位或第二基准电位至上述第一阀道闸门;用以当第二基准电位施加于上述第一筏道闸门(P15)时,根据控制信号,施加为使上述第二筏道闸门(N3)导通所必要的第一基准电位至上述第二筏道闸门;和用以当上述输出端子(Y)的电位施加于上述第一筏道闸门(P15)时,根据控制信号,施加为使上述第二筏道闸门(N3)不通导所必要的电位至上述第二筏道闸门;其中,在上述高阻抗模式,当一个高于上述第一高电位的电位被施加于上述输出端子(Y)时,上述控制电路(P9,N2,NAND1,INV2)将上述输出端子(Y)的电位施加于上述第一筏道闸门(P15),将使上述第二筏道闸门(N3)不通导的必要的电位施加于上述第二筏道闸门,和将使上述第三筏道闸门(P8)导通的必要的电位施加于上述第三筏道闸门;和在上述驱动模式,当使上述第一和第二筏道闸门(P15,N3)分别导通的电位,分别被施加于上述第一和第二筏道闸门时,上述控制电路将使上述第三筏道闸门(P8)不导通的电位施加于上述第三通筏道闸门。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02106949.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top