[发明专利]具有电容器的双镶嵌构造及其制造方法无效

专利信息
申请号: 02106992.1 申请日: 2002-03-12
公开(公告)号: CN1404127A 公开(公告)日: 2003-03-19
发明(设计)人: 徐震球;李世达 申请(专利权)人: 矽统科技股份有限公司
主分类号: H01L21/70 分类号: H01L21/70;H01L21/283;H01L21/314;H01L21/3205;H01L21/768
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 刘朝华
地址: 台湾省新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种具有电容器的双镶嵌构造及其制造方法,是于形成金属薄膜电容器之前,利用铜金属镶嵌制程来制作其下的内连线。再通过沉积第一金属层、绝缘层和第二金属层,并先利用蚀刻定义第二金属层以形成上电极后,再进行第二次蚀刻来定义绝缘层和第一金属层,以同时形成下电极和金属导线。在完成电容器后,继续利用铜金属镶嵌制程来制作其上的内连线。具有降低制程成本和所形成的电容器的电性品质较稳定的功效。
搜索关键词: 具有 电容器 镶嵌 构造 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种具有电容器的双镶嵌构造,其特征是:它至少包括如下构造:第一铜导线和第二铜导线设置于第一绝缘层中;第一密封层设置于该第一和第二铜导线上;第二绝缘层设置于该第一密封层上;第三绝缘层设置于该第二绝缘层上;第一铜插塞和第二铜插塞设置于该第一密封层、该第二和第三绝缘层中;下电极设置于该第三绝缘层上,且该下电极经由该第一铜插塞与该第一铜导线电性连接;金属导线设置于该第三绝缘层上,且该金属导线经由该第二铜插塞与该第二铜导线电性连接;第四绝缘层设置于该下电极和该金属导线上;上电极设置于该第四绝缘层上,且与该下电极彼此相对;具平坦表面的第五绝缘层设置于该上电极、该第四绝缘层和该第三绝缘层上;第一铜镶嵌构造和第二铜镶嵌构造配置在该第五绝缘层和该第四绝缘层中,其中该第一铜镶嵌构造是由第三铜导线和第三铜插塞所构成,该第二铜镶嵌构造是由第四铜导线和第四铜插塞所构成,其中该上电极经由该第三铜插塞与该第三铜导线电性连接,该金属导线经由该第四铜插塞与该第四铜导线电性连接;第二密封层设置于该第三和第四铜导线上。
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