[发明专利]具有电容器的双镶嵌构造及其制造方法无效
申请号: | 02106992.1 | 申请日: | 2002-03-12 |
公开(公告)号: | CN1404127A | 公开(公告)日: | 2003-03-19 |
发明(设计)人: | 徐震球;李世达 | 申请(专利权)人: | 矽统科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70;H01L21/283;H01L21/314;H01L21/3205;H01L21/768 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘朝华 |
地址: | 台湾省新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种具有电容器的双镶嵌构造及其制造方法,是于形成金属薄膜电容器之前,利用铜金属镶嵌制程来制作其下的内连线。再通过沉积第一金属层、绝缘层和第二金属层,并先利用蚀刻定义第二金属层以形成上电极后,再进行第二次蚀刻来定义绝缘层和第一金属层,以同时形成下电极和金属导线。在完成电容器后,继续利用铜金属镶嵌制程来制作其上的内连线。具有降低制程成本和所形成的电容器的电性品质较稳定的功效。 | ||
搜索关键词: | 具有 电容器 镶嵌 构造 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种具有电容器的双镶嵌构造,其特征是:它至少包括如下构造:第一铜导线和第二铜导线设置于第一绝缘层中;第一密封层设置于该第一和第二铜导线上;第二绝缘层设置于该第一密封层上;第三绝缘层设置于该第二绝缘层上;第一铜插塞和第二铜插塞设置于该第一密封层、该第二和第三绝缘层中;下电极设置于该第三绝缘层上,且该下电极经由该第一铜插塞与该第一铜导线电性连接;金属导线设置于该第三绝缘层上,且该金属导线经由该第二铜插塞与该第二铜导线电性连接;第四绝缘层设置于该下电极和该金属导线上;上电极设置于该第四绝缘层上,且与该下电极彼此相对;具平坦表面的第五绝缘层设置于该上电极、该第四绝缘层和该第三绝缘层上;第一铜镶嵌构造和第二铜镶嵌构造配置在该第五绝缘层和该第四绝缘层中,其中该第一铜镶嵌构造是由第三铜导线和第三铜插塞所构成,该第二铜镶嵌构造是由第四铜导线和第四铜插塞所构成,其中该上电极经由该第三铜插塞与该第三铜导线电性连接,该金属导线经由该第四铜插塞与该第四铜导线电性连接;第二密封层设置于该第三和第四铜导线上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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