[发明专利]半导体存储器以及驱动半导体存储器的方法无效
| 申请号： | 02107312.0 | 申请日： | 2002-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1397951A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 河村祥一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C7/12;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在执行把数据写入到存储单元的过程中，把正电压(在大约电源电压Vcc的1/2到电源电压的范围内的电压)提供到用于把参考电压提供到存储单元的一条线路(存储单元电源线)。即使位线和存储单元电源线短路，至少在锁存缓冲器单元中的一个节点与位线电连接的过程中，可以保持该节点的电势。由于可以确定该编程操作正常完成，并且完成编程确认操作，因此由于位线与存储单元电源线之间的短路所造成的缺陷可以通过使用冗余电路而修复。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 以及 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器包括：存储单元，其中包括具有存储数据的控制栅极和浮置栅极(floatinggate)的晶体管；以及把参照电势提供到所述存储单元的线路，其中，在执行把数据写入到所述存储单元中的时间段内，用于把参照电势提供到所述存储单元的所述线路的电势被设置在正电势。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02107312.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于开关功率变换器的低功耗模式和反馈结构
- 下一篇：涡轮叶片布置
