[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02107324.4 | 申请日： | 2002-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1375870A | 公开（公告）日： | 2002-10-23 |
| 发明（设计）人： | 中村俊二;吉田英司 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L27/00;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可以减小电极或布线层间寄生电容的半导体器件及其制造方法。具有在半导体衬底10上边形成的绝缘膜72绝缘膜72上边形成且具有开口部分82的绝缘膜78;至少在开口部分82内形成的导电体84,在绝缘膜72上形成具有与开口部分82的形状对应的周缘部分的形状的空洞88。由于在电极或布线层间的区域上形成空洞88,降低电极或布线层间的介电系数,故可以大幅度地减小电极或布线层间区域的寄生电容,因而会对半导体器件的高速化作出贡献。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：具有：在半导体衬底上边形成的第1绝缘膜；在上述第1绝缘膜上边形成且具有开口部分的第2绝缘膜；至少在上述开口部分内形成的导电体，在上述第1绝缘膜中形成有与上述开口部分的形状对应的周缘部分的形状的空洞。
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