[发明专利]功率半导体装置的闸极垫保护结构及其制造方法无效
| 申请号： | 02107330.9 | 申请日： | 2002-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1445823A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 曾军;周明江;吴宗宪 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/328;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省桃园县 *** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为一种闸极垫保护结构的制造方法，该方法是应用于一功率半导体装置上，包括以下步骤：(a)形成一闸氧化层于一硅基材上，(b)形成一多晶硅层于该闸氧化层上，(c)于该多晶硅层上形成一多晶硅窗与一多晶硅窗阵列，(d)进行一离子布植程序以于该硅基材对应于该多晶硅窗的区域形成一场布植区域与对应于该多晶硅窗阵列的区域形成一场布植区域单元阵列，(e)形成一介电层于该多晶硅层上，并移除部分该介电层，以及(f)形成一金属层于该介电层上，借以形成该闸极垫保护结构。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 闸极垫 保护 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闸极垫保护结构的制造方法，该方法应用于一功率半导体装置上，其特征在于，包括以下步骤：(a)形成一闸氧化层于一基材上；(b)形成一多晶硅层于该闸氧化层上；(c)于该多晶硅层上形成一多晶硅窗与一多晶硅窗阵列；(d)进行一离子布植程序以于该基材对应于该多晶硅窗的区域形成一场布植区域与对应于该多晶硅窗阵列的区域形成一场布植区域单元阵列；(e)形成一介电层于该多晶硅层上，并移除部分该介电层；以及(f)形成一金属层于该介电层上并移除部分该金属层，借以形成该闸极垫保护结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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