[发明专利]三氧化钨前驱物的合成方法及用其制成的硫化氢气体传感器有效

专利信息
申请号: 02107410.0 申请日: 2002-03-14
公开(公告)号: CN1445536A 公开(公告)日: 2003-10-01
发明(设计)人: 宋隆裕;李英正 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 刘朝华
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种三氧化钨前驱物的合成方法及用其制成的硫化氢气体传感器,合成方法包括:溶解一可溶性的钨化合物于一溶剂中,于上述溶液加入增粘剂调节该溶液的粘度调成适合进行旋转涂布或网版印刷的粘度后,再将该氧化钨前驱物沉积涂布于一基板上,接着进行高温热处理将有机成分分解,即可得到一层均匀的三氧化钨薄膜;用该层三氧化钨薄膜制造的硫化氢气体传感器具有高感度、良好的选择性及高反应应答速度的功效。
搜索关键词: 氧化钨 前驱 合成 方法 制成 硫化氢 气体 传感器
【主权项】:
1、一种三氧化钨前驱物的合成方法,其特征是:它包括如下步骤:(a)溶解可溶性钨化合物于一溶剂中,形成溶液;(b)于所述溶液中加入增粘剂,调节该溶液的粘度,制得三氧化钨前驱物。
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