[发明专利]多层式电介质抗反射层及其形成方法有效
| 申请号： | 02107423.2 | 申请日： | 2002-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1445818A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 陆志诚;陈启群;张文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红,潘培坤 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种多层式电介质抗反射层，适用于一基质与一光阻层之间，是在该基质上依序形成第一电介质抗反射层，接着在该第一电介质抗反射层上进行特别的电浆处理，如N2O电浆强化，形成第一电浆强化抗反射层。其中第一电介质抗反射层与第一电浆强化反射层形成一抗反射层组合。接着在该第一电浆强化抗反射层上依序形成N层该抗反射层组合以形成一多层式电介质抗反射层，其中N为自然数，介于1－4之间。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 电介质 反射层 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层式电介质抗反射层，适用于一基质与一光阻层之间，其特征在于，它包括：一第一电介质抗反射层形成于该基质上；一第一电浆处理薄膜，形成于该第一电介质抗反射层上，其中该第一电介质抗反射层与该第一电浆强化反射层形成一抗反射层组合；以及在该第一电浆处理簿膜上依序形成N层该抗反射层组合，其中N为自然数，介于1-4之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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