[发明专利]非挥发性内存及其制造方法有效
申请号: | 02107552.2 | 申请日: | 2002-03-15 |
公开(公告)号: | CN1445858A | 公开(公告)日: | 2003-10-01 |
发明(设计)人: | 郭东政 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/112 | 分类号: | H01L27/112;H01L21/8246 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种非挥发性内存及其制造方法,其结构于一基底中具有一沟渠,而有一埋入式位线横越此沟渠,且有一字线至少覆盖此沟渠并越过埋入式位线,又于基底与字线之间有一层电荷捕捉层。 | ||
搜索关键词: | 挥发性 内存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种非挥发性内存,包括:一基底,该基底中具有一沟渠;一埋入式位线,横越该沟渠;一字线,至少覆盖该沟渠并越过该埋入式位线;一电荷捕捉层,位于该基底与该字线之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02107552.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的