[发明专利]非挥发性半导体存储器件有效
申请号: | 02107558.1 | 申请日: | 2002-03-15 |
公开(公告)号: | CN1404156A | 公开(公告)日: | 2003-03-19 |
发明(设计)人: | 新林幸司;古山孝昭 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L27/112 | 分类号: | H01L27/112;G11C16/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了包括新型存储器核心部分的非挥发性半导体存储器件,其中存储器单元信息读通路上的寄生元件影响在读操作时被排除,以及伴随这种存储器核心结构,用来实现快速检测的新型检测方法。在存储器核心部分中,被选择的存储器单元被全局位线通过局部位线选择,相邻的全局位线被连接至未被选择区段中的局部位线。列选择部分连接一对全局位线至一对数据总线。具有等价于来自存储器单元通路上的寄生电容的,并用于提供参考电流至参考侧的负载部分被连接至一对数据总线上。存储器单元信息电流通过电流比较部分与参考电流相比较,差分电流被输出。通路负载被一对邻近通路所均衡,以便噪声效应被抵消,从而能实现快速读取。 | ||
搜索关键词: | 挥发性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种非挥发性半导体存储器件,包括连接了多个非挥发性存储器单元的多个数字线,其中在读取存储器单元信息时,数字线包括连接至被选择的非挥发性存储器单元的第一数字线;和仅连接至未被选择的非挥发性存储器单元的第二数字线,而以第一和第二数字线成对,存储器单元信息被读出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的