[发明专利]介电陶瓷及其制造和评价方法,及单片陶瓷电子元件有效
| 申请号： | 02107594.8 | 申请日： | 2002-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1375835A | 公开（公告）日： | 2002-10-23 |
| 发明（设计）人： | 小中宏泰;中村友幸;冈松俊宏;佐野晴信 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/00;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 介电陶瓷,它具有陶瓷结构,由晶体颗粒和晶体颗粒之间的颗粒边界组成。所述晶体颗粒包括由结构式ABO3表示的主要成分和含稀土元素的添加剂,其中A是钡、钙和锶中的至少一种,钡作为基本的元素;B是钛、锆和铪中的至少一种,钛作为基本的元素。晶体颗粒内部平均稀土元素的浓度约为颗粒边界处平均稀土元素浓度的50%或更小。并且大约20%－70%的晶体颗粒在晶体颗粒中央的稀土元素浓度至少是从表面向内延伸距离相当于约5%晶体颗粒直径的区域内的最大稀土元素浓度的约1/50。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 及其 制造 评价 方法 单片 电子元件 | ||
【主权项】：
1.一种介电陶瓷，它具有陶瓷结构，由晶体颗粒和晶体颗粒之间的颗粒边界组成，所述晶体颗粒包含由结构式ABO3表示的主要成分并含有稀土元素添加剂，其中A是钡或者钡与钙和锶中至少一种的混合；B是钛或者钛与锆和铪中的至少一种；其中晶体颗粒内部平均稀土元素的浓度约为颗粒边界处平均稀土元素浓度的50％或更小；大约20％-70％数量的晶体颗粒在晶体颗粒中央的稀土元素浓度至少是从表面向内延伸距离相当于约5％晶体颗粒直径的区域内的最大稀土元素浓度的约1/50。
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