[发明专利]抑制低温陶瓷烧结收缩的方法及抑制层无效
| 申请号： | 02107820.3 | 申请日： | 2002-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1446775A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李文熙;苏哲仪;李俊德;饶瑞珠 | 申请（专利权）人： | 飞天科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/64 | 分类号： | C04B35/64;C04B41/89;B32B18/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明主要涉及一种抑制低温陶瓷烧结收缩的方法，其包含堆叠一抑制层于一具有异质材料的陶瓷生胚上方以抑制该陶瓷生胚的收缩，其特征在于该抑制层具有与该陶瓷生胚上的异质材料位置相对应的凿孔，使该等异质材料于陶瓷生胚与抑制层堆叠时不会被抑制层覆盖，其中，抑制层的最小边长为L，各凿孔的外接圆半径为c，相邻外接圆的间距为a，最外围凿孔与抑制层的边缘距离为b，c＜0.5L，a＞0.1c，b＞0.1c。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 低温 陶瓷 烧结 收缩 方法 | ||
【主权项】：
1、一种抑制陶瓷烧结收缩的方法，其包含堆叠一抑制层于一具有异质材料的陶瓷生胚上方，以抑制该陶瓷生胚的收缩，其特征在于抑制层是具有与该陶瓷生胚上的异质材料位置相对应的凿孔，使该等异质材料于陶瓷生胚与抑制层堆叠时不会被抑制层覆盖，其中，抑制层的最小边长为L，各凿孔的外接圆半径为c，相邻外接圆的间距为a，最外围凿孔与抑制层的边缘距离为b，c＜0.5L，a＞0.1c，b＞0.1c。
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