[发明专利]平面环绕栅极快闪存储单元的结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种平面环绕栅极快闪存储单元(HorizontalSurroundingGateFlashMemoryCell)的结构及其制造方法。本发明的平面环绕栅极快闪存储单元系位于隔离区的沟道中，其信道区域为半导体薄膜所构成并依序由穿隧氧化层(TunnelingOxideLayer)、浮置栅(FloatingGate)、以及控制栅(ControlGate)所包覆环绕，而且浮置栅以及控制栅亦同时形成于信道区域下方的沟道内。因此，信道漏电流(LeakageCurrent)的情况可获得改善，且源极(Source)/漏极(Drain)的接合(Junction)深度亦不会造成短信道效应。此外，控制栅与浮置栅之间的耦合电容(CouplingCapacitor)可轻易地利用增加沟道深度予以提高。

主权项

1.一种平面环绕栅极快闪存储单元的结构，其特征在于，所述结构至少包括：一基底，且所述基底上至少包括一隔离区、一信道区、一沟道位于所述隔离区上、以及一源极与一漏极分别位于所述信道区的两侧，所述隔离区的一尺寸大于所述信道区的一尺寸，且所述隔离区涵盖住全部的所述信道区；多个间隙壁位于所述沟道的侧壁旁；一结晶半导体薄膜位于所述沟道的一部分上，且所述结晶半导体薄膜的两侧分别与所述源极以及所述漏极连接；一氧化层；一浮置栅；一介电层；以及一控制栅，所述结晶半导体薄膜依序被所述氧化层、所述浮置栅的一部分、所述介电层的一部分、以及所述控制栅所环绕并包覆，且所述沟道以及所述些间隙壁依序被所述浮置栅的另一部分、所述介电层的另一部分、以及所述控制栅所覆盖。