[发明专利]利用原子层淀积形成薄膜的方法有效
| 申请号： | 02107879.3 | 申请日： | 2002-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1389910A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 金营宽;朴泳旭;李承换 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,谷惠敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用原子层淀积(ALd)形成薄膜的方法。提供一种具有单反应空间的ALD反应器。可以在所述ALD反应器的单反应空间中同时装载一批衬底。然后,在单反应空间中引入含反应剂的气体,在单反应空间内,反应剂的一部分化学吸附到该批衬底的上表面上。然后,从单反应空间中排除未被化学吸附的反应剂。根据本发明的一个实施例,引入含反应剂气体后,在单反应空间内稀释未被化学吸附的反应剂,以便于排除未被化学吸附的反应剂。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 原子 层淀积 形成 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用原子层淀积形成薄膜的方法：提供具有单反应空间的反应器；将一批衬底同时装载在反应器的单反应空间内；向单反应空间中引入含反应剂的气体，在单反应空间，将反应剂的一部分化学吸附到衬底的上表面上；及从单反应空间中排除未被化学吸附的反应剂。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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