[发明专利]生长GaN晶体基片的方法和GaN晶体基片有效
| 申请号： | 02107886.6 | 申请日： | 2002-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1378238A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 柴田真佐知;黑田尚孝 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在初始基片上沉积一层金属膜,初始基片可以是单晶蓝宝石基片、带有生长在蓝宝石基片上的单晶GaN膜的基片或单晶半导体基片中的任何一种。然后在金属膜上沉积一层GaN膜以形成层状基片。由于采用了以上这种结构,在生长了GaN膜之后,GaN膜可以很容易地和初始基片分开,并且,能够用简单的方式生产出来低缺陷浓度和没有被杂质严重污染的GaN晶体基片。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 gan 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1.生产GaN晶体基片的工艺，其特征在于包括以下步骤：在初始基片上沉积一层金属膜，初始基片可以是单晶蓝宝石基片、带有生长在蓝宝石基片上的单晶GaN膜的基片或单晶半导体基片中的任何一种；在金属膜上沉积一层GaN膜用于形成层状基片；然后把初始基片从沉积了GaN的层状基片除去，从而形成了自由固定的GaN晶体基片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立电线株式会社;日本电气株式会社，未经日立电线株式会社;日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02107886.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
