[发明专利]形成芯片保护膜的片材以及制造半导体芯片的方法有效

专利信息
申请号: 02107957.9 申请日: 2002-03-21
公开(公告)号: CN1375866A 公开(公告)日: 2002-10-23
发明(设计)人: 妹尾秀男;杉野贵志;山崎修 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L21/00
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 周承泽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种形成芯片保护膜的片材,能容易地在芯片背面形成非常均匀的保护膜,即使由于机械研磨在芯片背面产生微小划痕,也能消除划痕产生的不良影响。本发明的形成芯片保护膜的片材包括隔离片和在该隔离片的可分离表面形成的保护膜形成层,其中所述保护膜形成层包括热固性组分或能量射线可固化组分以及粘合剂聚合物组分。
搜索关键词: 形成 芯片 保护膜 以及 制造 半导体 方法
【主权项】:
1.一种形成芯片保护膜的片材,该片包括隔离片和在该隔离片的可分离表面上形成的保护膜形成层,其中,所述保护膜形成层包括热固性组分或能量射线可固化的组分以及粘合剂聚合物组分。
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