[发明专利]形成芯片保护膜的片材以及制造半导体芯片的方法有效
申请号: | 02107957.9 | 申请日: | 2002-03-21 |
公开(公告)号: | CN1375866A | 公开(公告)日: | 2002-10-23 |
发明(设计)人: | 妹尾秀男;杉野贵志;山崎修 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L21/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 周承泽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种形成芯片保护膜的片材,能容易地在芯片背面形成非常均匀的保护膜,即使由于机械研磨在芯片背面产生微小划痕,也能消除划痕产生的不良影响。本发明的形成芯片保护膜的片材包括隔离片和在该隔离片的可分离表面形成的保护膜形成层,其中所述保护膜形成层包括热固性组分或能量射线可固化组分以及粘合剂聚合物组分。 | ||
搜索关键词: | 形成 芯片 保护膜 以及 制造 半导体 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成芯片保护膜的片材,该片包括隔离片和在该隔离片的可分离表面上形成的保护膜形成层,其中,所述保护膜形成层包括热固性组分或能量射线可固化的组分以及粘合剂聚合物组分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社,未经琳得科株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02107957.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:集成电路(IC)的散热结构
- 下一篇:有机场致发光像素电路