[发明专利]半导体存储装置及其驱动方法

摘要

一种半导体存储装置及其驱动方法,半导体存储装置具有铁电体电容器,即使由于电子或空穴的注入使施加在铁电体电容器上的电位差消失,也能够读出铁电体电容器所保持的数据。半导体存储装置的结构是由源区(101)、漏区(102)、沟道区(103)、栅绝缘膜(104)及浮置栅电极(105)构成场效应晶体管,通过绝缘膜在该场效应晶体管上设置铁电体电容器(113),铁电体电容器由铁电体膜(110)和上侧的第1电极(111)及下侧的第2电极(112)组成。将铁电体膜(110)的极化方向下向、且铁电体膜(110)具有几乎饱和极化值的第1状态作为数据“1”写入的同时,将铁电体膜的极化方向下向、且铁电体膜(110)具有几乎为零的极化值的第2状态作为数据“0”写入。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于：形成在半导体衬底上，具备铁电体电容器、数据写入单元和数据读出单元；铁电体电容器，具有铁电体膜、在所述铁电体膜上形成的第1电极和在铁电体膜下形成的第2电极；数据写入单元，由使所述铁电体膜发生第1状态或是第2状态、在所述铁电体电容器上写入与所述第1状态或第2状态相对应的数据，第1状态时，所述铁电体膜的极化方向从所述第1电极向着所述第2电极的方向或者从所述第2电极向着第1电极的方向、而且所述铁电体膜保持几乎饱和的极化值，第2状态时，所述铁电体膜的极化方向与所述第1状态方向相同、而且所述铁电体膜保持几乎为零的极化值；数据读出单元，由检测所述铁电体电容器是所述第1状态或是所述第2状态、读出存储在所述铁电体电容器上的数据。