[发明专利]多层陶瓷基片的制造方法无效

专利信息
申请号: 02108024.0 申请日: 2002-03-25
公开(公告)号: CN1382011A 公开(公告)日: 2002-11-27
发明(设计)人: 原田英幸;砂原博文 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;B32B18/00;H01L23/15
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 陈瑞丰
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种多层陶瓷基片的制造方法,所述基片中具有多级空腔,用于安装电子元件。将一个块插入到较为低级的空腔部分内,该空腔部分要作为多层陶瓷基片的未加工片层状体中形成的空腔,其中所述块的三维形状与该空腔部分的三维形状基本相同,并且它的高度等于或大于该空腔部分的深度。从而,在该空腔具有表观为单级的状态下进行按压步骤。
搜索关键词: 多层 陶瓷 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造多层陶瓷基片的方法,包括:提供包括层压的叠层的未加工片层状体,所述叠层包括多个未加工陶瓷片,部分未加工陶瓷片中设有通孔,以在未加工片层状体中给出空腔,所述空腔沿未加工片层状体的层压方向的一个端面处具有开口;所述空腔具有阶梯状截面,并包括第一空腔部分,它具有底面和第一横向尺寸,还包括与第一空腔部分底面相通的第二空腔部分,所述第二空腔部分具有深度和第二横向尺寸,其中第一横向尺寸大于第二横向尺寸;提供一个块,所述块的三维形状与第二空腔部分的三维形状基本相同,并且高度等于或大于第二空腔部分的深度;将所述块插入到第二空腔部分中;使未加工片层状体沿其层压方向受到按压;以及烧制该未加工片层状体。
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