[发明专利]预防快闪存储器栅极接面崩溃耦合电路及存储器电路有效
| 申请号： | 02108103.4 | 申请日： | 2002-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1447337A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 黄仲盟 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤,陈红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种预防快闪存储器栅极接面崩溃的耦合电路，其在公知的耦合电路的导通级和高电压HV之间加入至少一隔离级，使高电压HV的电压差由该耦合电路的导通级和隔离级所共同承受。换言之，即可降低该导通级所承受的栅极接面电压差，而降低晶体管被打穿的机率。为降低该隔离级在高电压HV刚改动时的瞬间电压差的影响，本发明另以二极管电气连接至该隔离级的栅极，该二极管的另一端连接至一较低的电源VDD。因此在高电压HV刚启动时的瞬间电压差将减少一VDD之值，而使该隔离级不致受到损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 预防 闪存 栅极 崩溃 耦合 电路 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种预防快闪存储器栅极接面崩溃的耦合电路，包含一高电压HV、一导通级及一晶体管，其特征在于，该高电压HV和导通级之间加入至少一隔离级，以降低该导通级的栅极接面电压差。
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