[发明专利]改进微距一致性的方法有效
| 申请号： | 02108105.0 | 申请日： | 2002-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1447385A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 徐义裕;王国镇;邵耀亭 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/82;G03F7/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种改进微距一致性的方法，适用于集成电路制造，用以克服旋转涂布在晶圆上的涂布层，其中央区域和边缘区因为厚度不均匀所引起的微距不一致性问题。该方法包括在晶圆上形成涂布层，以及根据制造进程条件分别对该涂布层的中央区域与环绕中央区域的边缘区域进行图案转移制作程序，藉以将一图案转移至涂布层，运用特殊的微影及蚀刻技术以改进涂布层不均匀的事实，而能成功转移图案，达到要求的均匀微距。其中，中央区域与边缘区域互不重叠，而且应用在中央区域的制造进程条件设定不同于应用在边缘区域的制造进程条件设定。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 一致性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改进微距一致性的方法，适用于集成电路制造，该方法包括：在一晶圆上形成一涂布层；以及根据一制造进程条件分别对该涂布层的一第一区域与环绕该第一区域的一第二区域进行一图案转移制作步骤，将一图案转移至该涂布层，其中应用在该第一区域的该制造进程条件设定不同于应用在该第二区域的该制造进程条件的设定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
