[发明专利]利用硅控整流器的静电放电保护电路有效
| 申请号： | 02108111.5 | 申请日： | 2002-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1447488A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 苏源茂;俞大立 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H01L27/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种利用硅控整流器的静电放电保护电路，该电路包括一P型基底层，含一N型井区，一第一P+层，置于N型井区中；和一第一N+层，置于P型基底层中以连接至接地。为了控制正向暂态，该装置依助雪崩介于N型井区与P型基底层之间的PN接面进入再生模式。还有一顺偏二极管控制负向暂态，该二极管包括在P型基底层的一第二P+区域，以通过介于该第一N+区域与该P型基底层的PN接面；一第二N+区域，置于该N型井区中，以通过介于该N型井区与该第一P+层的PN接面；一可变电阻被置于输入焊接点与第二N+区域之间，以最佳化ESD保护装置的效能；该电阻改善了导通特性，并且降低了装置的触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 整流器 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种利用硅控整流器的静电放电保护电路，置于一节点与一参考电位间，包括：一第一导电形式的淡掺杂半导体材料的第一区域，其中该第一区域形成具有一上表面的一基体；一第二导电形式的淡掺杂半导体材料的第二区域，该第二区域置于该第一区域的该上表面；一第一导电形式的浓掺杂半导体材料的第三区域，该第三区域置于该第二区域的该上表面，其中该第三区域电性连接至该节点；一第二导电形式的浓掺杂半导体材料的第四区域，该第四区域置于该第一区域的该上表面，其中该第四区域电性连接至该参考电位；一第二导电形式的浓掺杂半导体材料的第五区域，该第五区域置于该第二区域的该上表面；一第一导电形式的浓掺杂半导体材料的第六区域，该第六区域置于该第一区域的该上表面，其中该第六区域电性连接至该参考电位；其特征在于，还有一电阻，其具有连接至该节点的一第一端点，以及连接至该第五区域的一第二端点。
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