[发明专利]高电流离子植入机的监控芯片与用其监控充电现象的方法有效
| 申请号： | 02108130.1 | 申请日： | 2002-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1447404A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 丁进国;廖晋熥 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/425 | 分类号： | H01L21/425;H01L21/66;H01J37/302 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤,陈红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种监控高电流离子植入机的充电现象的方法，包括：放置所述监控芯片于所述高电流离子植入机台的一离子植入室中，其中所述监控芯片系由一半导体基底、一氧化层作为隔离层与一多晶硅层作为充电层组成。对所述监控芯片进行一既定条件的离子植入。将所述监控芯片进行回火。测量所述监控芯片上一既定多个位置的阻值。以及，判断所述监控芯片的平均阻值与标准差是否超过一既定标准范围。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 离子 植入 监控 芯片 充电 现象 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高电流离子植入机的监控芯片，其特征在于，所述监控芯片包括：一半导体基底；一隔离层，位于所述半导体基底的上：以及一充电层，位于所述隔离层的上，其中，当一高能电子导入所述监控芯片时，所述高能电子停滞于所述充电层中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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