[发明专利]虚拟接地架构的闪存

摘要

本发明涉及一种虚拟接地架构的闪存，包括一第一型基底；形成于第一型基底的二第二型掺杂区；分别包括穿隧介电层、浮置栅、介电层、控制栅，且形成于第一型基底的表面，并位于第二型掺杂区之间的一堆栈栅极结构；一仅位于第二型掺杂区的一侧与第一型基底交界处的第一型离子植入区；二耦接于第二型掺杂区，用以选择供应既定电位以及接地电位至第二型掺杂区的切换开关。

主权项

1.一种虚拟接地架构的闪存，其特征在于，所述闪存包括：一第一型基底；二第二型掺杂区，形成于所述第一型基底；一堆栈栅极结构，形成于所述第一型基底的表面，并位于所述第二型掺杂区之间；一第一型离子植入区，仅位于所述第二型掺杂区的一侧与所述第一型基底的交界处；以及二切换开关，耦接于所述第二型掺杂区，用以选择供应一既定电位以及一接地电位至所述第二型掺杂区。