[发明专利]半导体存储元件的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体存储器(幕罩式只读存储器)的制造方法，包括下列步骤：形成一垫氧化物层与一底部抗反射层于一半导体基底上；于底部抗反射层上形成一光阻层；在光阻层上定义图案并形成多个开口对应于位线延伸方向；以所述光阻图案为幕罩，植入砷离子于半导体基底中；以所述光阻图案为幕罩，植入硼离子于所述半导体基底中，且硼离子的植入深度大于砷离子；去除所述光阻、底部抗反射层与垫氧化物层；以热氧化方式同时于所述半导体基底上形成一栅氧化层与一场氧化层；以及，沉积一栅极导电层于所述半导体基底上。

主权项

1.一种半导体存储元件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下列步骤：形成一氧化物层于一半导体基底上；于所述氧化物层上形成一光阻层；在所述光阻层上定义图案并形成对应位线延伸方向的多个开口；以所述光阻图案为幕罩，植入第一型离子于所述半导体基底中；以所述光阻图案为幕罩，植入第二型离子于所述半导体基底中，所述第一型离子与所述第二型离子具有相反的电性，且所述第二型离子的植入深度大于第一型离子；去除所述光阻图案与所述氧化物层；以热氧化方式于所述半导体基底上同时形成一栅氧化层与一场氧化层；以及沉积一栅极导电层于所述半导体基底上。