[发明专利]浅槽隔离的方法无效
| 申请号： | 02108408.4 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1449013A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 黄文信;张国华 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浅槽隔离方法。该方法包括下列步骤：(1)于一衬底表面形成一经构图的掩蔽层，该掩蔽层包含有一缓冲氧化层以及一氮化硅层形成于该缓冲氧化层上；(2)蚀刻未被该掩蔽层覆盖的该衬底，以形成一槽区域；(3)形成一高温氧化膜，覆盖于该槽区域表面以及该掩蔽层表面；(4)沉积一介电层，该介电层填满该槽区域，并覆盖该高温氧化膜；(5)平坦化该介电层，直至暴露出该氮化硅层；以及(6)去除该氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种于一衬底上制作浅槽隔离的方法，该方法包括下列步骤：于该衬底表面形成一经构图的掩蔽层，该掩蔽层包括一缓冲氧化层以及一氮化硅层形成于该缓冲氧化层上；蚀刻未被该掩蔽层覆盖的该衬底，以形成一槽区域；形成一高温氧化膜，覆盖于该槽区域表面以及该掩蔽层表面；沉积一介电层，该介电层填满该槽区域，并覆盖该高温氧化膜；平坦化该介电层，直至暴露出该氮化硅层；以及去除该氮化硅层，其中该高温氧化膜可强化该介电层与该衬底的界面，避免该介电层与该衬底的界面于该酸液浸泡工艺过程中产生一酸侵蚀缝隙现象。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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