[发明专利]绝缘膜的形成方法及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 02108730.X | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1379450A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 宫岛秀史;岛田美代子;中田鍊平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/3105;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种形成绝缘膜的方法,包括用绝缘膜材料涂覆衬底以形成一涂覆膜,这绝缘膜材料至少包含在平均分子重量上彼此相异的第一和第二聚合物,并且加热所述涂覆膜的同时用电子束辐照所述涂覆膜。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种形成绝缘膜的方法，包括：用绝缘膜材料涂覆衬底以形成一涂覆膜，所述绝缘膜材料至少包含在平均分子重量上彼此相异的第一和第二聚合物；并且加热所述涂覆膜同时用电子束辐照所述涂覆膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
