[发明专利]一种制作Ⅲ族氮化物材料的方法无效
| 申请号： | 02108819.5 | 申请日： | 2002-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1468974A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王向武 | 申请（专利权）人： | 厦门三安电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C30B25/04 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种制作III族氮化物材料的方法，首先选择衬底材料，在该衬底上外延一层高温生长的组分缓变的铝镓氮薄膜作为下一步生长的缓冲层，在缓冲层上生长一层氮化镓材料，然后在该层氮化镓上生长其他所需要的III族氮化物材料，并且通过不同材料的组合构成各种器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 氮化物 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作III族氮化物材料的方法，通过使用两步生长法，并在不同衬底上进行异质外延，其特征在于：本发明采用与衬底材料晶格相匹配的组分渐变的铝镓氮材料在高温下生长作为缓冲层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
