[发明专利]一种P型Ⅲ族氮化物材料的制作方法有效
| 申请号： | 02108834.9 | 申请日： | 2002-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1474437A | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王向武 | 申请（专利权）人： | 厦门三安电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种P型III族氮化物材料的制作方法，用于制作光电器件的P型导电层，通过改变组分使四元氮化物的禁带宽度低于氮化镓的宽度，从而提高P型杂质的电离率，使得P型III族氮化物材料在同样的掺杂水平下获得高的空穴浓度，并且降低电阻率，这样就可以通过提高载流子浓度，从而提高注入效率(比)，使得器件内量子效率提高、发光强度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 材料 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种P型III族氮化物材料的制作方法，其特征是制备过程包括如下步骤：(1)选择异质或同质或复合衬底材料；(2)在衬底材料上外延一层III族氮化物材料作为下一步外延生长模板；(3)在模板上外延生长P型四元氮化物；(4)在隔绝氧气环境，对P型四元氮化物进行热处理，使其转型生成薄膜，该层薄膜即为发光器件或电子器件的P型层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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