[发明专利]一维纳米炭材料的成形方法无效
申请号: | 02109018.1 | 申请日: | 2002-01-10 |
公开(公告)号: | CN1431148A | 公开(公告)日: | 2003-07-23 |
发明(设计)人: | 成会明;李峰;刘辰光;李洪锡 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02 |
代理公司: | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张晨 |
地址: | 110015 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种一维纳米炭材料的成形方法,其特征在于:向一维纳米炭材料中加入易挥发有机溶剂,体积比为纳米炭材料/有机溶剂=1∶0.01-5,经过充分混匀以后得到浆状料,1~60MPa压力下预成形,再在40~300℃条件下,处理1-10小时。本发明在一维纳米炭材料中按照一定比例加入易挥发有机溶剂以后,能够在较低压力下使混合样品成形,在得到成形一维纳米炭材料以后,又可以通过加热的方法除去其中溶剂,从而保证成形以后一维纳米炭材料纯度保持不变。另外添加了有机溶剂以后,一维纳米炭材料表现出了良好的成型性,可以比较方便的控制产品的体积密度及形状。 | ||
搜索关键词: | 纳米 材料 成形 方法 | ||
【主权项】:
1、一种一维纳米炭材料的成形方法,其特征在于:向一维纳米炭材料中加入易挥发有机溶剂,体积比为纳米炭材料/有机溶剂=1∶0.01-5,经过充分混匀以后得到浆状料,1~60MPa压力下预成形,再在40~300℃条件下,处理1-10小时。
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