[发明专利]薄膜电阻温度传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 02109989.8 | 申请日： | 2002-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1432799A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 董述恂;龙峰洲 | 申请（专利权）人： | 董述恂 |
| 主分类号： | G01K7/16 | 分类号： | G01K7/16 |
| 代理公司： | 威海科星专利事务所 | 代理人： | 于振强 |
| 地址： | 264200 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜电阻温度传感器及其制造方法，其克服了现有技术高成本、制造复杂的缺点。该传感器设有绝缘衬底，在绝缘衬底上设有薄膜电阻、连接电阻的电极、保护层，薄膜电阻的成分为含有少量金属氧化物的铂或者金，其厚度为0.02um－2um。制造方法包括以下步骤：将有机铂化合物或有机金化合物加热，得到混合物，将混合物添加有机化合物，同时添加树脂和溶剂，形成混合型铂浆料或金浆料。将上述混合型浆料印刷于经过清洗的基板上，然后经过烧结等步骤，形成产品。或采用丝网印刷等方法在基板上均匀涂覆所述混合型浆料，然后进行烧结等步骤形成产品。本发明可广泛用于航天、化工、汽车领域的测温、温度控制等。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻 温度传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜电阻温度传感器，其设有绝缘衬底，在绝缘衬底上设有薄膜电阻、连接电阻的电极、保护层，其特征是薄膜电阻的成分为含有少量金属氧化物的铂或者金，其厚度为0.02um-2um。
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