[发明专利]同基合金表面离子沉积方法无效
| 申请号： | 02110303.8 | 申请日： | 2002-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1388268A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 侯文义;赵兴国;石巨岩;梁伟 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人： | 庞建英 |
| 地址： | 030003 *** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 同基合金表面离子沉积方法,属于材料加工工程领域,材料表面沉积技术范畴,具体来讲是作为沉积离子源的合金靶材的基本组成元素与基材相同,其突出优点是沉积层的晶体结构及物理性质与基材差异很小甚至完全相同,因而沉积层与基材的结合强度高,工作温度变化时不会产生较大的内应力,沉积层厚度不受限制;由于沉积加热温度较低,工件不会产生明显畸变,可用于高精度工件的表面改性和已磨损精密工件的修复。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 表面 离子 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.同基合金表面离子沉积方法，其特征在于是沉积离子源的合金靶材的基本组成元素与基材相同，沉积层晶体结构、密度、线膨胀系数与基材相同，其具体沉积步骤为：首先将靶装入连接40-70V负偏压的壳体中作为电弧溅射源，且将棒状、板状、网状靶连接600-800V负偏压作为阴极溅射源，工件置于连接700-900V负偏压的工作台上，密闭工作室后抽真空至1-1×10-3Pa，然后充入氩气至10-40Pa，先启动700-900V的直流电源使工件表面在辉光作用下加热至500-700℃，随即启动与靶连接的直流电源发射靶中的各种元素，并在电场作用下沉积于工件表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太原理工大学，未经太原理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02110303.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
