[发明专利]一种晶体电光Q开关器件

摘要

本发明是涉及一种晶体电光Q开关器件，属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明的主要内容由La₃Ga₅SiO₁₄或掺Nd离子La₃Ga₅SiO₁₄或相关系列晶体材料La₃Ga_5-xAl_xSiO₁₄，Sr₃Ga₂Ge₄O₁₄，Na₂CaGe₆O₁₄，Ca₃Ga₂Ge₄O₁₄，La₃Ga_5.5Nb_0.5O₁₄，La₃Ga_5.5Ta_0.5O₁₄制成的一般形式和带有布儒斯特角的电光Q开关，用于YAG激光器及其他激光器作调Q使用。它解决了现有技术存在的半波电压高，不可调，随温度变化大稳定性差等缺点。本发明具有半波电压低，可调，稳定性好等优点。

主权项

1、一种晶体电光Q开关器件，其特征在于它是由La3Ga5SiO14或掺Nd离子La3Ga5SiO14或同构晶体材料La3Ga5-xAlxSiO14，Sr3Ga2Ge4O14，Na2CaGe6O14，Ca3Ga2Ge4O14，La3Ga5.5Nb0.5O14，La3Ga5.5Ta0.5O14制成的，当晶体材料为La3Ga5-xAlxSiO14，x取值范围：0＜x≤5，Q开关器件参数如下：晶体沿Z方向即通光方向的长度l为20mm～40.3mm，厚度d沿X方向或Y方向均可，尺寸为6.12mm，宽度w垂直于长度和厚度方向，尺寸为6.12mm，晶体通光方向的两端面抛光并镀1.064μm的增透膜。