[发明专利]屈服性衬底上制备外延异质晶体和薄膜材料的方法无效
| 申请号： | 02110601.0 | 申请日： | 2002-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1434153A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 黄风义 | 申请（专利权）人： | 黄风义 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;H01L21/20;H01L21/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201204 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在衬底上制备晶体薄膜或多晶薄膜的方法，包括利用屈服性超薄衬底的材料转化和横向微型结构来降低外延异质晶体的内应力；以及通过离子注入，在有内应力的薄膜下面形成非晶层后，利用高温处理来消除内应力和降低薄膜的晶体缺欠密度。这样形成的薄膜厚度可以超过在异质衬底上生长均匀薄膜的临界厚度允许的范围。除了应用于单晶薄膜，该方法还可以应用于高质量的多晶薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 屈服 衬底 制备 外延 晶体 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体薄膜的生长方法，该方法包括把位于非晶层上的超薄单晶薄膜通过高温转化为异质薄膜，在表面形成很小内应力或无内应力的薄膜层。
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