[发明专利]一种低温烧结氮化铝基复相材料及其制备方法

摘要

一种低温烧结AlN基复相材料及其制备方法，涉及电子封装材料及其制造领域。其特征在于复相材料由AlN 50-80，硼硅酸铅玻璃50-15，余量为LiF(wt％)组成，硼硅酸铅玻璃的组成(wt％)SiO₂：50-75，B₂O₃：3-17，PbO：15-29，含量为碱金属或碱土金属的氧化物。本发明采用热压烧结工艺，分三阶段升温、加压。最终保温阶段950℃或1000℃下，压力在18～25Mpa范围，保温2～8小时。热导率最高可达11W/m·K，比文献报道的高50％。本发明具有烧结温度低、密度低、导热性能良好和成本低廉等优点，适用于低温共烧基板材料和微电子封装材料。

主权项

1.一种低温烧结氮化铝基复相材料，其特征在于：(1)由AlN、硼硅酸铅玻璃和LiF组成，具体组成(wt％)为AlN 50-80，硼硅酸铅玻璃50-15，余量为LiF；(2)硼硅酸铅玻璃的主要成分(wt％)为：SiO2：50-75，B2O3：3-17，PbO：15-29，余量为K2O、Na2O、Li2O或CaO中一种。