[发明专利]一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法有效
| 申请号： | 02110920.6 | 申请日： | 2002-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1383189A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陈猛;王湘;王曦;陈静;林梓鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/108 | 分类号： | H01L21/108 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘层上硅的方法,其特征在于,(1)再在30－210keV能量下氧离子,注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择,使制备的SOI结构的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低;(2)注入完成后,退火气氛是高纯氩气中含有一定浓度高纯氧气。600℃保持30分钟,1000℃保持1小时,在1300～1350℃经过5～10小时保温;(3)退火降温制度是1200℃以上降温速率为15℃/min,1200～1000℃为20℃/min,1000～700℃为30℃/min。注入剂量与能量配匹关系为D=(0.025～0.035)×E+(0.25～0.35),用本发明提供的方法制备材料顶层硅缺陷密度低、埋层针空密度小,从而提高了低剂量SIMOX材料质量和产量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 剂量 隔离 技术 制备 绝缘体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘层上硅的方法，包括将单晶硅衬底加热后注入低剂量氧离子、退火升温、降温工艺过程，其特征方法在于：(1)在30-210keV能量下注入氧离子，注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择，使制备的SOI结构的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低；(2)注入完成后，退火气氛是高纯氩气中含有高纯氧气。600℃保持30分钟，1000℃保持1小时，在1300～1350℃经过5～10小时保温；(3)退火降温制度是1200℃以上降温速率为15℃/min，1200～1000℃为20℃/min，1000～700℃为30℃/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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