[发明专利]纳米硅管的制备方法无效
| 申请号： | 02110970.2 | 申请日： | 2002-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1382627A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;沙健;牛俊杰;马向阳;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供的纳米硅管的制备方法是采用化学气相沉积法,它包括以下步骤1)制备具有数个纳米尺寸孔径的氧化铝模板;2)用磁控溅射法对氧化铝模板的一个平面镀膜,镀膜材料为三、五族元素或过渡金属元素或金,镀膜厚度为1～10000纳米;3)把镀膜过的氧化铝模板放在石英舟里,再把石英舟放入一个真空和气氛两用石英管式炉内,抽真空,使管式炉真空度为1～100Pa,加热炉管,使氧化铝模板温度为100～1000℃；4)将硅烷气体、氢气和氩气或氮气的混合气体送入管式炉;5)经1～50小时,从硅烷分解出来的硅沉积到氧化铝模板的纳米尺寸孔内形成纳米硅管。本发明工艺简单,为制备纳米硅管探索出一条新途径。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.纳米硅管的制备方法，其特征是采用化学气相沉积法，它包括以下步骤：1)制备具有数个纳米尺寸孔径的氧化铝模板；2)用磁控溅射法对氧化铝模板的一个平面镀膜，镀膜材料为三、五族元素或过渡金属元素或金，镀膜厚度为1～10000纳米；3)把镀膜过的氧化铝模板放在石英舟里，再把石英舟放入一个真空和气氛两用石英管式炉内，抽真空，使管式炉真空度为1～100Pa，加热炉管，使氧化铝模板温度为100～1000℃；4)将硅烷气体、氢气和氩气或氮气的混合气体送入管式炉，各气体用量分别为硅烷气体1～50％氢气1～50％氩气或氮气1～50％混合气体总量为100％；5)经1～50小时，从硅烷分解出来的硅沉积到氧化铝模板的纳米尺寸孔内形成纳米硅管。
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