[发明专利]铌锌酸铅钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长无效

专利信息
申请号: 02111002.6 申请日: 2002-03-12
公开(公告)号: CN1382841A 公开(公告)日: 2002-12-04
发明(设计)人: 罗豪甦;方必军;徐海清;贺天厚 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/22
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振甦
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及晶体生长技术,提供了一种规模化生长高质量的弛豫基铁电单晶——铌锌酸铅钛酸铅固溶体单晶的方法,属晶体生长领域。本发明提供的制备方法,包括了原料预处理、晶体生长一系列完整的单晶生长过程。其特点是按化学式组成(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3配比,其中x=0.05~0.20;原料预处理是分二步合成;用PMNT固溶体单晶作籽晶,不加助熔剂,异质同构坩埚下降法生长,炉温控制在1380-1420℃范围,固液生长界面的温度梯度为40-80℃,下降速度为0.5-1.0mn/h。生长的PZNT单晶结构完整,有望满足新一代压电超声换能器的需求。
搜索关键词: 铌锌酸铅钛酸铅 固溶体 熔体法 生长
【主权项】:
1、一种制备铌锌酸铅钛酸固溶体单晶的熔体法生长,包括原料处理、升温熔化、生长和降温晶体生长工艺,其特征在于:a、按化学式组成(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3配比,其中x=0.05~0.20;b、原料预处理是将混合均匀的氧化锌、五氧化铌和二氧化钛的混合原料,在850-1150℃反应1-4小时热处理,然后加入计量比氧化铅700-800℃热处理1-2小时;c、用铌镁酸铅钛酸铅固溶体单晶作籽晶,不加助熔剂,异质同构坩埚下降法生长,生长过程的炉温控制在1380-1420℃范围,固液生长界面的温度梯度为40-80℃,下降速度为0.5-1.0mn/h。
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