[发明专利]二次电化学电源正极用纳米单质硫复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 02111404.8 | 申请日： | 2002-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1384556A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王久林;杨军;解晶莹;徐乃欣;李颖;黄海江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/04 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二次电化学电源正极用纳米单质硫复合材料及其制备方法,属于电化学电池领域,其特征是制备了一种电化学活性的、具有高容量密度和高能量密度的纳米单质硫复合材料。该复合材料是由电子和/或离子导电性良好的多孔材料和单质硫组成。也即复合材料以多孔材料作基体,将单质硫复合到多孔材料的纳米级孔和/或微孔中。该种纳米单质硫复合材料可作为二次化学电源的正极材料。制备方法是在惰性气氛中使单质硫在150－400℃下熔化升华并扩散到多孔材料的纳米级孔和/或微孔中,由此得到的纳米单质硫复合材料含硫量为15－80wt%,作为正极活性物质制成的电池可以在室温下可逆充放电。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电化学 电源 正极 纳米 单质 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种二次电化学电源正极用的纳米单质硫复合材料，其特征在于该复合材料是以电子和/或离子导电性良好的多孔材料作基体，将单质硫复合到多孔材料的纳米级孔和/或微孔中。
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