[发明专利]利用磁场热处理改善多晶Ni2MnGa的磁驱动可逆应变量的方法无效

专利信息
申请号: 02111523.0 申请日: 2002-04-27
公开(公告)号: CN1453388A 公开(公告)日: 2003-11-05
发明(设计)人: 徐祖耀;陈世朴;赵容斌;钱明 申请(专利权)人: 艾默生电气(中国)投资有限公司
主分类号: C22F3/00 分类号: C22F3/00;C22F1/10;C22C19/03;H01F1/04
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 楼仙英
地址: 200001 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种利用磁场热处理改善多晶Ni2MnGa的磁驱动可逆应变量的方法,包括以下步骤:a)按非化学计量配比制备的Ni2MnGa合金,其中含有50.3~53.0at%Ni,Mn/Ga比=1.05~1.15;b)将高纯元素Ni,Mn和Ga原料在氩气保护下电弧熔炼制得多晶锭块;c)对多晶锭块进行温度为1100~1200K、时间为1~3天的均匀化退火处理;d)经退火的多晶锭块试样进行磁场热处理,磁场强度H≈0.7T,温度为340~350K或360~460K,保温20~30分钟,然后在磁场下空冷或水淬。本发明利用磁场热处理使多晶Ni2MnGa的磁驱动可逆应变量比未经磁场热处理的合金提高约17%。
搜索关键词: 利用 磁场 热处理 改善 多晶 ni2mnga 驱动 可逆 变量 方法
【主权项】:
1.一种利用磁场热处理改善多晶Ni2MnGa的磁驱动可逆应变量的方法,其特征在于,包括下列步骤:a)按非化学计量配比制备多晶Ni2MnGa合金;b)将高纯元素的Ni,Mn和Ga原料在氩气保护下进行电弧熔炼,制得多晶锭块;c)对上述多晶锭块进行均匀化退火处理;d)经均匀化处理的多晶锭块制成一定尺寸的试样件,置于纯铁磁轭—永磁块组件中进行磁场热处理。
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