[发明专利]硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术无效
| 申请号： | 02111567.2 | 申请日： | 2002-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1389599A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 周娟;徐家跃;华王祥;范世 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/34 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术,属于单晶生长领域。其特征在于初始原料由La2O329.5－30.5,Ga2O351－49,SiO219－21(at%)组成。均匀混合后,在1150～1400℃炉温下预烧不少于12小时。再次混匀,置于不同形状的铂金坩埚中,下端置以取向确定的籽晶。在1500～1650℃下熔化原料并接种生长,生长界面温梯控制在20～60℃/cm,铂坩埚以≤3mm/h的速度下降。本方法温场稳定,工艺设备简单,操作方便,可将多只坩埚放入Bridgman单晶炉内,同时生长不同形状和尺寸的硅酸镓镧单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸 晶体 坩埚 下降 生长 技术 | ||
【主权项】：
1.一种生长硅酸镓镧单晶的坩埚下降法生长技术，其特征在于：(1)初始原料由3N以上的高纯La2O3、Ga2O3和SiO2按以下组成(at％)配比而成：La2O3：29-30Ga2O3：51-49SiO2：19-21；(2)混合粉料在1100～1400℃炉温下预烧，保温不少于12小时；(3)将预烧后混合均匀的粉料和晶种置于经气焊密封的贵金属坩埚中；(4)坩埚置于Bridgman单晶炉内，升温熔化原料和晶种顶部，炉温控制在1500～1650℃；(5)生长界面温梯控制在20～60℃/cm，坩埚下降速度≤3mm/h。
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