[发明专利]分离单晶硅埚底料中石英的工艺无效
| 申请号： | 02111781.0 | 申请日： | 2002-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1459415A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 昌金铭;唐骏;杨佳荣;黄炳华;吴建荣 | 申请（专利权）人： | 中国科技开发院浙江分院 |
| 主分类号： | C01B33/00 | 分类号： | C01B33/00;C01B33/037 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 | 代理人： | 陈向群 |
| 地址： | 310012 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体分离技术领域，特别是涉及一种分离单晶硅埚底料中石英的工艺，包括下列步骤：a.将埚底料破碎，得到颗粒状的埚底料；b.用Si3N4涂料刷抹坩埚底部和内壁，让其自然干燥；c.把颗粒状埚底料放置在坩埚内；d.装有颗粒状埚底料的坩埚放入中频感应电炉，开启电源使炉内温度升高至熔点温度后100℃左右，保温10－30分钟，则颗粒状埚底料在坩埚内重熔；e.在加热达到规定时间后，关掉电源，待自然冷却后，可得到已分离的硅与石英；本发明提供的分离单晶硅埚底料中石英的工艺方法，通过将混含有石英的埚底料放置在中频炉中高温加热熔融，利用硅的熔点低于石英熔点的特性，能够方便地将石英颗粒与硅液分离开，因此，本发明具有工艺简单、生产安全、能耗低、分离效果好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 单晶硅 埚底料中 石英 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种分离单晶硅埚底料中石英的工艺，包括下列步骤：(1)将埚底料破碎，得到颗粒状的埚底料；(2)用Si3N4涂料刷抹坩埚底部和内壁，让其自然干燥；(3)把颗粒状埚底料放置在坩埚内；(4)将装有颗粒状埚底料的坩埚放入中频感应电炉，开启电源使炉内温度升高至熔点温度后100℃左右，保温10-30分钟，则颗粒状埚底料在坩埚内重熔；(5)在加热达到规定时间后，关掉电源，待自然冷却后，可得到已分离的硅与石英。
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