[发明专利]一种新的底部抗反射薄膜结构有效
| 申请号： | 02112149.4 | 申请日： | 2002-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1385884A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 胡恒升 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/469;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陶金龙,陆飞 |
| 地址： | 200020 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了提高光刻的质量,方法之一是采用底部抗反射薄膜(BARC)的工艺。BARC分为有机BARC和无机BARC两种。本发明提出一种将无机和有机BARC结合在一起的复合抗反射膜结构,其中无机BARC在下,有机BARC在上。既用到了有机BARC平坦性好的优点,也通过使用无机BARC减少了传统的刻蚀有机BARC存在的线宽损失问题。而且也用到了无机BARC选择性好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底部 反射 薄膜 结构 | ||
【主权项】：
1、一种底部抗反射薄膜结构，其特征在于采用有机BARC与无机BARC复合的底部抗反射薄膜结构，其中，无机BARC淀积在硅片表面，有机BARC涂敷在无机BARC上面，在有机BARC上面涂敷光刻胶；有机BARC要与无机BARC相兼容。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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