[发明专利]一种光刻用无机抗反射膜SiON的表面处理方法无效
| 申请号： | 02112152.4 | 申请日： | 2002-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1385885A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 缪柄有;徐小诚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陶金龙,陆飞 |
| 地址： | 200020 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,具体涉及到一种光刻用无机抗反射膜SiON的表面处理方法。目前SiON作为一种无机抗反射膜材料;其缺点是光刻胶底膜的留存问题,这在很大定程度上影响了图形转移的准确性;并且随着工业生产中光刻向深紫外短波长转移,减小来自衬底的反射光的影响构成了一种挑战。主要原因是SiON表面的胺基(－NH2)集团与光刻胶反应所致。本发明是用PECVD方法淀积SiON后,在原位先用Ar等离子体进行表面轰击;再紧接着用N2O+Ar或He混合等离子体进行表面氧化处理,从而改善了图形转移准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 无机 反射 sion 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光刻用无机抗反射膜SiON的表面处理方法，其特征在于：用常规等离子体方法(PECVD)在欲刻蚀的衬底上淀积SiON抗反射膜，在原位先用Ar等离子体进行表面轰击，以除去表面键合较弱的胺基(-NH2)；紧接着用N2O+Ar或He混合等离子体进行表面处理，使表面形成一层氧化物——阻挡层，以遮盖SiON表面剩余部分的胺基(-NH2)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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