[发明专利]高压P型MOS管及其制备方法无效
| 申请号： | 02112705.0 | 申请日： | 2002-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1142596C | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 吴建辉;陆生礼;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王之梓 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 高压P型MOS、管，包括P型衬底，在P型衬底上设有深N型阱，在深N型阱上设有P型漂移区和P管源区及漏区，在P管漏区的周围设有场区，在场区上设有场氧，在深N型阱上还设有栅氧，在栅氧上设有多晶硅栅，在P管源区、漏区及多晶硅栅设有铝引线，在深N型阱上的位于栅氧左端的位置设有P型阱区，栅氧为厚栅氧。制备方法：先在P型衬底上制备深N型阱，在深N型阱内制备P型漂移区和P型阱区，在场区上制备场氧，在自P型阱至场氧的区域制备厚栅氧，然后在厚栅氧上制备多晶硅栅，制备管源区和漏区，最后进行蒸铝，反刻铝引线。本发明的方法能够兼容标准体硅低压CMOS工艺，本发明具有能够控制产品质量，提高产品成品率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mos 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高压P型MOS管，其特征在于包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有深N型阱(2)，在深N型阱(2)上设有P型漂移区(3)和P管源区(81)及漏区(82)，在P管漏区(82)的周围设有场区(5)，在场区(5)上设有场氧，在深N型阱上还设有栅氧(6)，在栅氧(6)上设有多晶硅栅(7)，在P管源区(81)、漏区(82)以及多晶硅栅(7)设有铝引线，在深N型阱(2)上的位于栅氧(6)的靠近源区(81)一端的位置设有P型阱区(4)，栅氧(6)为厚栅氧。
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