[发明专利]平板显示的驱动芯片用高压器件结构及其制备方法无效
| 申请号： | 02112706.9 | 申请日： | 2002-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1155934C | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;胡晨;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32;H01L27/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王之梓 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 平板显示的驱动芯片用高压器件，由高压二极管、高压P型MOS管和高压N型横向双扩散MOS管组成，高压N型横向双扩散MOS管设在P型衬底上，在P型衬底上位于高压N型横向双扩散MOS管的源区下方位置设有P型阱，在P型衬底上设N型深阱，高压二极管和高压P型MOS管设在N型深阱内。制备方法：在预清洗后的P型衬底上制N型深阱，在N型深阱内制高压二极管和高压P型MOS管的P型漂移区，在P型衬底上制高压N型横向双扩散MOS管N型漂移区及P型阱，高压N型横向双扩散MOS管的源区位于其中，在N型深阱内制P型阱区，其位置为高压P型MOS管的源区及厚栅氧的下方；调整沟道阀值电压，制多晶硅栅，制源区、漏区及接触孔，蒸铝，反刻铝、钝化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 平板 显示 驱动 芯片 高压 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种平板显示的驱动芯片用高压器件结构，由高压二极管(1)、高压P型MOS管(2)和高压N型横向双扩散MOS管(3)组成，其特征在于高压N型横向双扩散MOS管(3)设在P型衬底(5)上，在P型衬底(5)上位于高压N型横向双扩散MOS管(3)的源区(32)下方位置设有P型阱(51)，在P型衬底(5)上设有N型深阱(4)，高压二极管(1)和高压P型MOS管(2)设在N型深阱(4)内。
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