[发明专利]获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法无效
| 申请号： | 02113080.9 | 申请日： | 2002-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1140915C | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 张荣;修向前;徐剑;顾书林;卢佃清;毕朝霞;沈波;刘治国;江若琏;施毅;朱顺明;韩平;胡立群 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法，首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜；然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的GaN厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再进行表面抛光处理，就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点：获得高质量的位错密度的GaN薄膜；可以快速生长大面积GaN厚膜；可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。 | ||
| 搜索关键词： | 获得 大面积 质量 gan 支撑 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1、获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法，其特征是首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜；然后在横向外延GaN薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的GaN厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再进行表面抛光处理，就可以获得高质量GaN自支撑衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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