[发明专利]溶胶－凝胶(Sol－Gel)法制备ZnO基稀释磁性半导体

摘要

溶胶—凝胶(Sol－Gel)法制备ZnO基稀释磁性半导体的方法采用溶胶—凝胶法并结合掺杂铁磁性离子如Fe、Co或Mn、Ni等制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜先制备ZnO胶体溶液,将一定量分析纯醋酸锌和磁性金属盐,铁和锌的原子浓度比为1～15%,溶解在无水乙醇中,均匀搅拌,最终得到ZnO胶体溶液,ZnO胶体溶液滴加匀涂覆在旋转的Si片上,将薄膜在室温～100℃下放置一段时间后,然后在240～300℃热处理数分钟后,在500～900℃,氮气气氛下热处理0.5－1.5小时。溶胶—凝胶法制备薄膜材料具有技术简单,低耗费,易于获得大面积的薄膜等优点。可以制得多组分均匀混合物。

主权项

1、溶胶—凝胶(Sol-Gel)法制备ZnO基稀释磁性半导体的方法：其特征是采用溶胶—凝胶法并结合掺杂铁磁性离子如Fe、Co或Mn、Ni等制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜：先制备ZnO胶体溶液，将一定量分析纯醋酸锌和磁性金属盐，铁和锌的原子浓度比为1～15％，溶解在无水乙醇中，均匀搅拌，最终得到ZnO胶体溶液，ZnO胶体溶液滴加匀涂覆在旋转的Si片上，将薄膜在室温～100℃下放置一段时间后，然后在240～300℃热处理数分钟后，在500～900℃，氮气气氛下热处理0.5-1.5小时。