[发明专利]激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法无效
| 申请号： | 02113085.X | 申请日： | 2002-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1383185A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张荣;修向前;徐剑;顾书林;卢佃清;毕朝霞;沈波;刘治国;江若琏;施毅;朱顺明;韩平;胡立群 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法,采用准分子激光器激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能,但是大于GaN的带隙能,激光辐照透过蓝宝石衬底,辐照蓝宝石－氮化镓界面处的GaN,然后加热或弱酸腐蚀,将GaN和蓝宝石分离开来,得到GaN自支撑衬底。尤其是先将氮化镓表面粘在一基片上,再进行激光辐照,将GaN和蓝宝石分离开来后,再以加热方法将基片粘接层分离。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 剥离 制备 支撑 氮化 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1、激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法，其特征是采用准分子激光器：激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能，但是大于GaN的带隙能，激光辐照透过蓝宝石衬底，辐照蓝宝石—氮化镓界面处的GaN，然后加热或弱酸腐蚀，将GaN和蓝宝石分离开来，得到GaN自支撑衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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