[发明专利]改善高分子复合导电材料导电性的加工方法无效
| 申请号： | 02113460.X | 申请日： | 2002-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1445080A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王勇;黄锐 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | B29C71/02 | 分类号： | B29C71/02 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人： | 邓继轩 |
| 地址： | 61006*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 改善高分子复合导电材料导电性的加工方法，其特点是对采用挤出、注射、压延、层压等现有的成型方法制造的高分子复合导电材料进行热处理，热处理温度高于复合材料基材的熔点或粘流温度，但低于基材的分解温度，热处理时间10分钟至48小时，冷却至基材的热变形温度以下，冷却速度0.1～25℃/分钟，或者在上述成型加工中，使模具温度高于复合材料基材的熔点或粘流温度，低于基材的分解温度，材料在模具内的停留时间为3分钟至2小时，冷却至基材的热变形温度以下，冷却速度0.1～25℃/分钟。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 高分子 复合 导电 材料 导电性 加工 方法 | ||
【主权项】：
1、改善高分子复合导电材料导电性的加工方法，其特征是对采用挤出、注射、压延和层压现有的成型方法制造的高分子复合导电材料进行热处理，热处理温度高于复合材料基材的熔点或粘流温度，低于基材的分解温度，热处理时间10分钟至48小时，缓冷至基材的热变形温度以下，冷却速度0.1～25℃/分钟，或者在上述成型加工中，使模具温度高于复合材料基材的熔点或粘流温度，低于基材的分解温度，材料在模具内的停留时间为3分钟至2小时，冷却至基材的热变形温度以下，冷却速度0.1～25℃/分钟。
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