[发明专利]可控生长具有一定直径和分布密度的碳纳米管的方法有效
| 申请号： | 02115096.6 | 申请日： | 2002-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1159217C | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;冯宇涛;陈军;邓少芝;佘峻聪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 广州市新诺专利事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可控生长具有一定直径和分布密度的碳纳米管的方法。其包括以下工艺步骤：(1)用磁过滤真空弧等离子体薄膜沉积或磁控溅射的方法在衬底上镀上一层催化剂薄膜；(2)将镀了催化剂的衬底在氢气气氛下，在600摄氏度的温度下还原处理；(3)使用流量比为1∶10的乙炔和惰性气体混合气体为反应气体，在700摄氏度下生长碳纳米管；(4)在惰性气体气氛下降温。本发明所述的方法简单，仅仅控制催化剂薄膜的厚度和氢气的还原时间这两个参数，即可实现控制碳纳米管的直径和分布密度。 | ||
| 搜索关键词： | 可控 生长 具有 一定 直径 分布 密度 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可控生长具有一定直径和分布密度的碳纳米管的方法，其特征在于：其包括以下工艺步骤：(a)用磁过滤真空弧等离子体薄膜沉积或磁控溅射的方法在衬底上镀上一层催化剂薄膜，厚度为5-100纳米；(b)将镀了催化剂的衬底在氢气气氛下，在600摄氏度的温度下还原处理，还原时间为15分钟至5小时；(c)使用流量比为1∶10的乙炔和惰性气体混合气体为反应气体，在700摄氏度下生长碳纳米管；(d)在惰性气体气氛下降温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02115096.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
